氟化氮
氟化氮主要用途是用作氟化氫-氟化氣高能化學(xué)激光器的氟源,在h2-O2 與F2之間反應(yīng)能的有效部分(約25%)可以以激光輻射釋放出,所 HF-OF激光器是化學(xué)激光器中最有希望的激光器。三氟化氮是微電子工業(yè)中一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體,對(duì)硅和氮化硅蝕刻,采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性,而且對(duì)表面無(wú)污染,尤其是在厚度小于1.5um的集成電路材料的蝕刻中,三氟化氮具
氟化氮主要用途是用作氟化氫-氟化氣高能化學(xué)激光器的氟源,在h2-O2 與F2之間反應(yīng)能的有效部分(約25%)可以以激光輻射釋放出,所 HF-OF激光器是化學(xué)激光器中最有希望的激光器。三氟化氮是微電子工業(yè)中一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體,對(duì)硅和氮化硅蝕刻,采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性,而且對(duì)表面無(wú)污染,尤其是在厚度小于1.5um的集成電路材料的蝕刻中,三氟化氮具
氟化氮主要用途是用作氟化氫-氟化氣高能化學(xué)激光器的氟源,在h2-O2 與F2之間反應(yīng)能的有效部分(約25%)可以以激光輻射釋放出,所 HF-OF激光器是化學(xué)激光器中最有希望的激光器。三氟化氮是微電子工業(yè)中一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體,對(duì)硅和氮化硅蝕刻,采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性,而且對(duì)表面無(wú)污染,尤其是在厚度小于1.5um的集成電路材料的蝕刻中,三氟化氮具有非常優(yōu)異的蝕刻速率和選擇性,在被蝕刻物表面不留任何殘留物,同時(shí)也是非常良好的清洗劑。隨著納米技術(shù)的發(fā)展和電子工業(yè)大規(guī)模的發(fā)展技術(shù),它的需求量將日益增加。
中文名稱(chēng):三氟化氮
英文名稱(chēng):Nitrogen trifluoride
中文別名:氟化氮;
英文別名:232-007-1; trifluoroamine
CAS號(hào):7783-54-2
分子式:F3N
分子量:71.0019
物理性質(zhì):
1.性狀:無(wú)色、帶霉味的氣體。
2.熔點(diǎn)(oC):-208.5
3.沸點(diǎn)(oC):-129
4.相對(duì)密度(水=1):1.89(沸點(diǎn),液體)
5.相對(duì)蒸氣密度(空氣=1):2.45
6.臨界溫度(oC):-39.3
7.臨界壓力(MPa):4.53
8.溶解性:不溶于水。
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